PECVD管式爐

更新日期：2025-10-21

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簡要描述：PECVD管式爐氣相沉積爐是一種用于通過化學氣相沉積（CVD）工藝在基底上沉積薄層材料的專用設備

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PECVD管式爐氣相沉積爐是一種用于通過化學氣相沉積（CVD）工藝在基底上沉積薄層材料的專用設備。以下是關于氣相沉積爐的產(chǎn)品簡介：

工作原理

氣相沉積爐通過將氣態(tài)前驅體引入爐內(nèi)，在高溫和/或催化劑的作用下，氣態(tài)前驅體發(fā)生化學反應，生成固態(tài)沉積物并在基底表面沉積形成薄膜。

結構組成

反應室：是氣相沉積爐的核心部分，用于容納基底和進行沉積反應，其結構設計會影響氣體分布和沉積均勻性，如有的采用臥式結構，有的則是立式結構。

加熱系統(tǒng)[__LINK_ICON]：通常由發(fā)熱體等組成，可提供高溫環(huán)境，使氣態(tài)前驅體能夠發(fā)生反應，如博納熱的氣相沉積爐采用HRE電阻絲加熱，最高溫度可達1200℃。

氣體供應系統(tǒng)：包括氣體儲存罐、質量流量計等，用于精確控制氣態(tài)前驅體和保護氣體的流量和比例。

真空系統(tǒng)[__LINK_ICON]：部分氣相沉積爐需要在真空環(huán)境下工作，真空系統(tǒng)可抽除反應室內(nèi)的空氣和雜質氣體，確保沉積過程的純凈度，如博納熱氣相沉積爐標配直連式真空泵，極限真空度可達10Pa。

溫度和氣氛控制系統(tǒng)[__LINK_ICON]：配備溫度傳感器和控制器，實時監(jiān)測和控制爐內(nèi)溫度，同時可控制氣氛環(huán)境，如通過通入惰性氣體防止氧化。

主要特點

高溫均勻性：確保基底上的沉積一致，這對獲得高質量涂層至關重要。

可編程溫度控制：可精確控制沉積過程，實現(xiàn)不同材料和應用的定制。

真空和氣體吹掃功能：保持受控氣氛，防止污染并確保沉積材料的純度。

與各種管材的兼容性：CVD爐通常使用石英管或氧化鋁管，它們可以承受高溫和腐蝕性環(huán)境。

應用領域

半導體制造：用于在半導體晶片上沉積硅、二氧化硅和氮化硅等材料的薄膜。

航空航天和汽車工業(yè)：用于在機械零件上制作保護涂層，以提高耐用性和抗磨損、抗腐蝕和抗氧化性。

材料科學：用于開發(fā)石墨烯、碳納米管和陶瓷涂層等*材料。

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